AS4C1M16S-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C1M16S-7TCN
AS4C1M16S-7TCN

Fabricante:

Descripción:
DRAM SDRAM, 16Mb, 1M x 16, 3.3V, 50pin TSOP II, 143 MHz, Commercial Temp - Tray

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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234
Se espera el 23/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
12
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$5.06 $5.06
$4.71 $47.10
$4.57 $114.25
$4.47 $223.50
$4.36 $510.12
$4.22 $987.48
$4.12 $2,410.20
$4.02 $4,233.06

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM
16 Mbit
16 bit
143 MHz
TSOP-II-50
1 M x 16
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C1M16S-7
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: TW
País de difusión: TW
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 117
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 70 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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