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AS4C64M4SA-7TCN

Name: Alliance Memory AS4C64M4SA-7TCN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C64M4SA7TCN
Price: 9.46 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

913-AS4C64M4SA7TCN

Fabricante N.º:

AS4C64M4SA-7TCN

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 64M x 4 SDRAM

Hoja de datos:

AS4C64M4SA-7TCN Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$8.13	$878.04
	$7.68	$1,658.88
	$7.65	$4,131.00
	$7.37	$7,959.60

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM
Tamaño de memoria:	256 Mbit
Ancho de bus de datos:	4 bit
Frecuencia de reloj máxima:	143 MHz
Paquete / Cubierta:	TSOP-II-54
Organización:	64 M x 4
Tiempo de acceso:	5.4 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Serie:	AS4C64M4SA
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	TW
País de difusión:	TW
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	108
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	55 mA

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Hoja de datos

AS4C64M4SA-7TCN Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320024
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.