BLF0910H9LS600U

Ampleon
94-BLF0910H9LS600U
BLF0910H9LS600U

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 60   Múltiples: 60
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$128.04 $7,682.40
120 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Ampleon
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
N-Channel
LDMOS
50 V
57.5 mOhms
915 MHz
18.6 dB
600 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502B-3
Tray
Marca: Ampleon
Número de canales: 1 Channel
Tipo de producto: RF MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 60
Subcategoría: RF Transistors
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 6 V, + 11 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
Alias de las piezas n.º: 934960121112
Peso de la unidad: 3.144 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.