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ADPA1112AEJZ

Name: Analog Devices Inc. ADPA1112AEJZ
Brand: Analog Devices
SKU: 584-ADPA1112AEJZ
Price: 1355.93 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

584-ADPA1112AEJZ

Fabricante N.º:

ADPA1112AEJZ

Fabricante:

Analog Devices

Descripción:

Amplificador de RF 1-22GHz 15W PA

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	1 GHz to 22 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	28 V
Ganancia:	23 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LDCC-14
Tecnología:	GaN
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	46 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	ADPA1112
Empaquetado:	Tray
Marca:	Analog Devices
Pérdida de retorno de entrada:	10 dB
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	56.9 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	136
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits

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USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 3A001.b.2.c

ADPA1112 GaN Power Amplifiers

Analog Devices ADPA1112 Gallium Nitride (GaN) Power Amplifiers are 15W, 1GHz to 22GHz wideband power amplifiers. The ADI ADPA1112 amplifiers feature a saturated output power (P_OUT) of 42dBm, power added efficiency (PAE) of 25%, and a power gain of 14dB typical from 8GHz to 16GHz at input power (P_IN) of 28.0dBm. The RF input and RF output are internally matched and AC-coupled. A drain bias voltage (V_DD) of 28V is applied to the VDD1 and VDD2 pins, which have integrated bias inductors. The drain current is set by applying a negative voltage to the VGG1 pin. A temperature-compensated RF detector is integrated, allowing monitoring of the RF output power. These GaN-processed devices operate within a -40°C to +85°C range.