BIDD05N60T

Bourns
652-BIDD05N60T
BIDD05N60T

Fabricante:

Descripción:
IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252

Modelo ECAD:
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En existencias: 24,183

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$2.10 $2.10
$1.35 $13.50
$0.585 $58.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$0.562 $1,405.00
25,000 Presupuesto
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Bourns
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-252-3
SMD/SMT
Single
600 V
1.5 V
- 30 V, 30 V
10 A
82 W
- 55 C
+ 150 C
BID
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Bourns
Máx. corriente continua Ic del colector: 10 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: IGBTs
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.