CDBJSC8650-G

Comchip Technology
750-CDBJSC8650-G
CDBJSC8650-G

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$4.99 $4.99
$3.66 $36.60
$2.96 $296.00
$2.63 $1,315.00
$2.33 $2,330.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Comchip Technology
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
8 A
650 V
1.47 V
80 A
10 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: Comchip Technology
Dp - Disipación de potencia : 102.4 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa: 650 V
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541400029
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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