IS43LR16640A-5BL

ISSI
870-IS43LR16640A-5BL
IS43LR16640A-5BL

Fabricante:

Descripción:
DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 300   Múltiples: 300
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$14.23 $4,269.00
$13.87 $8,322.00
1,200 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile - LPDDR
1 Gbit
16 bit
200 MHz
BGA-60
64 M x 16
5 ns
1.7 V
1.95 V
0 C
+ 70 C
IS43LR16640A
Tray
Marca: ISSI
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 300
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 95 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542319090
USHTS:
8542320032
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
Taiwán
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Mobile DDR SDRAM

ISSI Mobile DDR SDRAM is organized as 4 banks of 16,777,216 words x 16 bits and uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The Data Input/Output signals are transmitted on a 16-bit bus. The double data rate architecture is essentially a 2N prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. ISSI Mobile DDR SDRAM offers fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. The data paths are internally pipelined and 2n-bits prefetched to achieve very high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVCMOS.

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