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IXZ308N120

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Mouser N.º:

747-IXZ308N120

Fabricante N.º:

IXZ308N120

Fabricante:

IXYS Integrated Circuits

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.1 Ohms
Potencia de salida:	880 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SMD-6
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS Integrated Circuits
Transconductancia hacia delante - Mín.:	10.1 S
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	IXZ308
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V