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IXBT14N300HV

Name: IXYS IXBT14N300HV
Brand: IXYS
SKU: 576-IXBT14N300HV
Price: 60.06 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

576-IXBT14N300HV

Fabricante N.º:

IXBT14N300HV

Fabricante:

IXYS

Descripción:

IGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT

Hoja de datos:

IXBT14N300HV Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	3 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.7 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	38 A
Dp - Disipación de potencia :	200 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	Very High Voltage
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	BIMOSFET

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs

IXYS IXBx14N300HV Reverse Conducting BiMOSFET™ IGBTs combine the strengths of MOSFETs and IGBTs. These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode. The "Free" intrinsic body diodes of the IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs serve as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.