IXFN100N50Q3

Name: IXYS IXFN100N50Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN100N50Q3
Price: 57.08 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFN100N50Q3

Fabricante N.º:

IXFN100N50Q3

Fabricante:

IXYS

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	82 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	49 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, + 30 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	960 W
Serie:	IXFN100N50
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	250 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Peso de la unidad:	30 g