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IXFN360N15T2

Name: IXYS IXFN360N15T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN360N15T2
Price: 63.53 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFN360N15T2

Fabricante N.º:

IXFN360N15T2

Fabricante:

IXYS

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	310 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	1.07 mW
Serie:	IXFN360N15
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	265 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	170 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	GigaMOS Trench T2 HiperFet
Tiempo de retardo de apagado típico:	115 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	50 ns
Vr - Tensión inversa:	60 V
Peso de la unidad:	30 g