Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IXFN70N100X

Name: IXYS IXFN70N100X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN70N100X
Price: 86.02 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

747-IXFN70N100X

Fabricante N.º:

IXFN70N100X

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET 1000V 65A SOT-227 Power MOSFET

Hoja de datos:

IXFN70N100X Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre IXYS IXFN70N100X

En existencias: 184

Existencias:: 184 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 184 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$86.02	$86.02
	$71.07	$710.70
	$64.94	$6,494.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	65 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	89 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.2 kW
Serie:	X-Class
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	127 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	48 ns
Peso de la unidad:	30 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IXFN70N100X Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Soluciones de carga de vehículos eléctricos

Las soluciones de carga de vehículos eléctricos (EV) de Littelfuse permiten que los diseñadores seleccionen la solución ideal para garantizar que las unidades de vehículos eléctricos sean funcionales y seguras. Las estaciones de carga de EV externas funcionan en entornos rigurosos de climas de extremo frío y calor, lluvia, nieve y rayos. Los productos de Littelfuse brindan protección contra estos peligros, minimizando el riesgo de fallos.

Ultra Junction MOSFETs

IXYS Ultra Junction MOSFETs feature low R_DS(on) and low Q_g in low inductance industry standard packages. These devices enable high power density, easy mounting, and space-saving opportunities. IXYS Ultra Junction MOSFETs are ideal solutions in SMPS, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics/servo controls.

X-Class 850V - 1000V Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X-Class 850V-1000V Power MOSFETs with HiPerFET™ with fast body diodes are rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry. This enables a very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dt performance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these ultra-junction MOSFETs help reduce switching losses and Electromagnetic Interference (EMI).

X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low R_DS(ON) and Q_Gwith a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.