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BF 771 E6327

Name: Infineon BF 771 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BF771E6327
Price: 0.67 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BF771E6327

Fabricante N.º:

BF 771 E6327

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.67	$0.67
	$0.415	$4.15
	$0.28	$28.00
	$0.202	$101.00
	$0.175	$175.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.149	$447.00
	$0.137	$822.00
	$0.126	$1,134.00
	$0.114	$2,736.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

BF771E6327HTSA1

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$0.43

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Serie:	BF771
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	NPN
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	70
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	12 V
Voltaje VEBO emisor-base:	2 V
Corriente continua del colector:	80 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Configuración:	Single
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Calificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Corriente CC máxima de colector:	80 mA
Dp - Disipación de potencia :	580 mW
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	SP000010967 BF771E6327XT BF771E6327HTSA1
Peso de la unidad:	8 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.