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BFP840ESDH6327XTSA1

Name: Infineon BFP840ESDH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFP840ESDH6327XT
Price: 0.51 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BFP840ESDH6327XT

Fabricante N.º:

BFP840ESDH6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTORS

Hoja de datos:

BFP840ESDH6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.51	$0.51
	$0.319	$3.19
	$0.257	$25.70
	$0.245	$122.50
	$0.236	$236.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.206	$618.00
	$0.202	$1,212.00
	$0.201	$1,809.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Serie:	BFP840ESD
Tipo de transistor:	Bipolar
Tecnología:	SiGe
Frecuencia de trabajo:	80 GHz
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	2.25 V
Voltaje VEBO emisor-base:	2.9 V
Corriente continua del colector:	35 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Configuración:	Single
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-343-4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Dp - Disipación de potencia :	75 mW
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	BFP 840ESD H6327 SP000943010
Peso de la unidad:	6.400 mg

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SPICE Models

Infineon-RFTransistor-SPICE.lib-SM-v02_10-EN

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

BFPx4 RF Transistors

Infineon BFPx4 RF Transistors provide the designer the best possible performance, superior flexibility and price/performance ratio. These are widely used for new emerging wireless applications, where the system specification is not yet firmly established. The BFxx Low Noise Amplifiers (LNAs) include devices suitable for use from AM over VHF/UHF up to 14GHz. These are the latest LNA innovations based on Infineon's reliable high volume 80GHz fT silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. They combine uncompromised RF performance with outstanding robustness against high RF input power overdrive and ESD.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.