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BFR843EL3E6327XTSA1

Name: Infineon BFR843EL3E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR843EL3E6327XT
Price: 1.37 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BFR843EL3E6327XT

Fabricante N.º:

BFR843EL3E6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTORS

Hoja de datos:

BFR843EL3E6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 15000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.37	$1.37
	$0.403	$4.03
	$0.366	$36.60
	$0.351	$175.50
	$0.345	$345.00
	$0.344	$860.00
	$0.329	$1,645.00
	$0.328	$3,280.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 15000)
	$0.328	$4,920.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Tipo de transistor:	Bipolar
Tecnología:	SiGe
Polaridad del transistor:	NPN
Frecuencia de trabajo:	12 GHz
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	230
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	2.25 V
Corriente continua del colector:	55 mA
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSLP-3
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Dp - Disipación de potencia :	125 mW
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	15000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	BFR 843EL3 E6327 SP001062610
Peso de la unidad:	0.470 mg

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

SPICE Models

Infineon-RFTransistor-SPICE.lib-SM-v02_10-EN

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.