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RoHS

Fabricante:	Fabricante N.º:	Cant.	Total otorgado:

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BSM100GD120DN2

Mouser N.º:

641-BSM100GD120DN2

Fabricante N.º:

BSM100GD120DN2

Fabricante:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos IGBT
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	Hex
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.5 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	150 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Dp - Disipación de potencia :	680 W
Paquete / Cubierta:	EconoPACK 3A
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	HU
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Alias de las piezas n.º:	SP000100365 BSM100GD120DN2BOSA1