FF6MR20W2M1HB70BPSA1

726-FF6MR20W2M1HB70
FF6MR20W2M1HB70BPSA1

Fabricante:

Descripción:
Infineon CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 V

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.

En existencias: 27

Existencias:
27
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15
Se espera el 1/06/2026
Plazo de entrega de fábrica:
10
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$226.79 $226.79
$202.54 $2,025.40

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Infineon
RoHS:  
Marca: Infineon Technologies
Empaquetado: Tray
Serie: EasyPACK
Cantidad de empaque de fábrica: 15
Nombre comercial: CoolSiC
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
Alemania
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench MOSFET Modules feature PressFIT contact technology and an integrated Negative Temperature Coefficient (NTC) temperature sensor. These modules operate at a 1200V drain-source voltage, feature a low inductive design, low switching losses, and high current density. The EasyPACK™ modules offer rugged mounting due to integrated mounting clamps and are packaged with a CTI >600. Applications include high-frequency switching devices, DC/DC converters, and DC chargers for EVs. With the Easy 2C Series, Infineon enhances high-power designs using SiC G2 technology and advanced .XT features. The .XT technology provides enhanced ruggedness and extended operating temperatures, while the second-generation SiC MOSFET technology offers improved gate oxide reliability and reduced on-resistance.