FM25V10-DG

Infineon Technologies
727-FM25V10-DG
FM25V10-DG

Fabricante:

Descripción:
F-RAM FRAM

Modelo ECAD:
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En existencias: 102

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$15.92 $15.92
$14.77 $147.70
$14.31 $357.75
$13.96 $698.00
$13.62 $1,362.00
$13.01 $3,252.50
$12.90 $4,773.00
1,110 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: F-RAM
RoHS:  
1 Mbit
SPI
25 MHz, 40 MHz
128 k x 8
DFN-8
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM25V10-G
Tube
Marca: Infineon Technologies
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo: 2 V to 3.6 V
Tipo de producto: FRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 370
Subcategoría: Memory & Data Storage
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.