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FS1150R08A8P3CHPSA1

Name: Infineon FS1150R08A8P3CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1150R08A8P3CHP
Price: 575.92 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-FS1150R08A8P3CHP

Fabricante N.º:

FS1150R08A8P3CHPSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos HybridPACK Drive G2 module

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

FS1150R08A8P3CHPSA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	Power Modules
Tipo:	Drive G2 Module
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.76 V
Vr - Tensión inversa:	400 V
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	DIP-7
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 V
Serie:	HybridPACK
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Sixpack
Tiempo de caída:	91 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	600 A
Dp - Disipación de potencia :	1 kW
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Tiempo de subida:	50 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	6
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tiempo de retardo de apagado típico:	929 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	222 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.8 V
Alias de las piezas n.º:	FS1150R08A8P3C SP006071554

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.