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IKB40N65EF5ATMA1

Name: Infineon IKB40N65EF5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKB40N65EF5ATMA1
Price: 5.13 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IKB40N65EF5ATMA1

Fabricante N.º:

IKB40N65EF5ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBTs INDUSTRY

Hoja de datos:

IKB40N65EF5ATMA1 Hoja de datos (PDF)

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	$2.02	$2,020.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	74 A
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT5
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Máx. corriente continua Ic del colector:	74 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º:	IKB40N65EF5 SP001509612
Peso de la unidad:	1.561 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5 Discrete IGBTs are optimized for switching >60kHz to deliver optimum efficiency, bridging the gap between MOSFETs and IGBTs. The F5 series features significantly lower switching losses compared to currently leading solutions. Targeting topologies are boost stages, PFC (AC-DC) stages, and high voltage DC-DC topologies commonly found in applications like uninterruptible power supplies (UPS), inverter welding machines, and switch-mode power supplies. The 650V TRENCHSTOP 5 F5 IGBTs are targeted for low inductance designs in combination with SiC diodes to offer 1% higher efficiency compared to 650V TRENCHSTOP 5 H5 family.

TRENCHSTOP™ 5 IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBTs are the next generation of thin wafer IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that feature significantly lower conduction and switching losses compared to currently leading solutions. TRENCHSTOP 5 is designed for applications where switching >10kHz. The wafer thickness has been reduced by >25%, which enables a dramatic improvement in both switching and conduction losses, while providing a breakthrough voltage of 650V. This quantum leap in efficiency opens up new opportunities for designers to explore.