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IMCQ120R078M2HXTMA1

Name: Infineon IMCQ120R078M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMCQ120R078M2HXT
Price: 8.3 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IMCQ120R078M2HXT

Fabricante N.º:

IMCQ120R078M2HXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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	$3.77	$2,827.50

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PG-HDSOP-22-U03
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	31 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	205 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.1 V
Qg - Carga de puerta:	23.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	176 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	4.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	3.2 ns
Serie:	1200 V G2
Cantidad de empaque de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	11.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Alias de las piezas n.º:	IMCQ120R078M2H SP005974971