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IMLT65R026M2HXTMA1

Name: Infineon IMLT65R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMLT65R026M2HXTM
Price: 11.37 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-IMLT65R026M2HXTM

Fabricante N.º:

IMLT65R026M2HXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

IMLT65R026M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

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	$5.98	$10,764.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	82 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	33 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	365 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	5.1 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	10.1 ns
Serie:	650V G2
Cantidad de empaque de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.3 ns
Alias de las piezas n.º:	IMLT65R026M2H SP005969467