Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IR2233SPbF

Name: Infineon IR2233SPbF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IR2233SPBF
Price: 7.76 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

942-IR2233SPBF

Fabricante N.º:

IR2233SPbF

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Controladores de puertas 1200V 3-Phase,0.5A OCP, OPAMP, FAULT,SD

Hoja de datos:

IR2233SPbF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies IR2233SPbF

En existencias: 2,788

Existencias:: 2,788 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$7.76	$7.76
	$6.00	$60.00
	$5.56	$139.00
	$5.08	$508.00
	$4.84	$1,210.00
	$4.70	$2,350.00
	$4.47	$4,470.00
	$4.29	$8,580.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-28
Número de controladores:	6 Driver
Número de salidas:	6 Output
Corriente de salida:	500 mA
Voltaje de alimentación - Mín.:	10 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	20 V
Tiempo de subida:	90 ns
Tiempo de caída:	40 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	IR223X
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	TW
País de origen:	TW
Características:	Independent
Tipo lógico:	CMOS, LSTTL
Tiempo de retardo de apagado máximo:	700 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	750 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	4 mA
Dp - Disipación de potencia :	1.6 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	1 us
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	EiceDRIVER
Peso de la unidad:	2.215 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IR2233SPbF Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

Technical Resources

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310075
KRHTS:: 8542311000
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

1200V Level-Shift Gate Drivers

Infineon 1200V Level-Shift Gate Drivers for Industrial Drives include 3-phase, half-bridge, and high and low side drivers suitable for IGBTs or MOSFETs. The 6ED2230S12T 3-phase 1200V SOI driver with integrated Bootstrap Diode (BSD) and overcurrent protection utilizes Infineon's unique Silicon-on-Insulator (SOI) level-shift technology. The 6ED2230S12T provides functional isolation with industry-leading negative VS robustness. It also provides reduced level-shift losses with the integrated bootstrap diode enabling a lower bill of material cost and smaller PCB footprint.

IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs

Infineon Technologies IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 Gate Driver ICs feature three independent high-side and low-side referenced output channels for 3-phase applications. The Gate Driver ICs have a proprietary HVIC technology that enables ruggedized monolithic construction. The IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 ICs have logic inputs compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. Additionally, the devices provide an independent operational amplifier. This amplifier permits analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.

IR2233/IR2235 MOSFET & IGBT Drives

Infineon Technologies IR2233/IR2235 MOSFET and IGBT Drives feature three independent high- and low-side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs down to 2.5V logic. An independent operational amplifier provides analog feedback of bridge current via an external current sense resistor.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.