CGH40120F

MACOM
941-CGH40120F
CGH40120F

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt

Modelo ECAD:
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26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$452.82 $4,528.20

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
MACOM
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
Screw Mount
440193
N-Channel
120 V
12 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
Marca: MACOM
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Kit de desarrollo: CGH40120F-TB
Ganancia: 19 dB
Frecuencia de trabajo máxima: 2.5 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 1 GHz
Potencia de salida: 120 W
Empaquetado: Tray
Producto: GaN HEMTs
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 25
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente: - 10 V to 2 V
Peso de la unidad: 30.467 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99