ICPB1020-1-110I

Microchip Technology
579-ICPB1020-1-110I
ICPB1020-1-110I

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs DC-14 GHz 100W Discrete GaN HEMT

Ciclo de vida:
Pedido especial de fábrica:
Obtenga una cotización para verificar el precio actual, plazo de entrega y requisitos para realizar pedidos del fabricante.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.

Disponibilidad

Existencias:
No disponible

Precio (USD)

Solicitar presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: GaN FETs
Restricciones de envío:
 Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
112 W
Marca: Microchip Technology
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Voltaje máximo drenaje-puerta: 80 V
Frecuencia de trabajo máxima: 14 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 0 Hz
Empaquetado: Bulk
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 5
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: GaN HEMT
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:
8541290055
ECCN:
3A001.b.3.b.3

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.