Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

MSC015SMA070S

Name: Microchip MSC015SMA070S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC015SMA070S
Price: 18.78 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

494-MSC015SMA070S

Fabricante N.º:

MSC015SMA070S

Fabricante:

Microchip Technology

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Existencias:: 91 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 3 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$18.78	$18.78

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D3PAK-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Id - Corriente de drenaje continua:	112 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	19 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.9 V
Qg - Carga de puerta:	215 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	477 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	20 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	34 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	53 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Peso de la unidad:	6.200 g