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MSC025SMA120B4

Name: Microchip MSC025SMA120B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC025SMA120B4
Price: 37.81 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

494-MSC025SMA120B4

Fabricante N.º:

MSC025SMA120B4

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4

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Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$37.81	$37.81
	$36.17	$361.70
	$35.21	$1,056.30
	$34.13	$4,095.60
	$33.17	$8,955.90
510	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	103 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	31 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V
Qg - Carga de puerta:	232 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	500 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	35 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns
Peso de la unidad:	6 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.