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MSC060SMA070SCT/RM

Name: Microchip MSC060SMA070SCT/RM
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC6SMA070SCTRM
Price: 5.08 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

579-MSC6SMA070SCTRM

Fabricante N.º:

MSC060SMA070SCT/RM

Fabricante:

Microchip Technology

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D3PAK-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Id - Corriente de drenaje continua:	44 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	75 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	56 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	181 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Reel
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	mSiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns