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MSCSM120XM31RTBL3NG

Name: Microchip MSCSM120XM31RTBL3NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-SM120XM31RTBL3NG
Price: 298.38 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

579-SM120XM31RTBL3NG

Fabricante N.º:

MSCSM120XM31RTBL3NG

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

MSCSM120XM31RTBL3NG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	79 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	31 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	310 W
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	3-Phase Bridge
Tiempo de caída:	25 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	30 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns