MT40A512M16LY-062E IT:E

340-345834-TRAY
MT40A512M16LY-062E IT:E

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA Z11B

Ciclo de vida:
Verificar estado con la fábrica:
No es clara la información sobre el ciclo de vida. Obtenga una cotización para verificar la disponibilidad de este número de pieza del fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Micron Technology
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
8 Gbit
16 bit
1.6 GHz
FBGA-96
512 M x 16
13.75 ns
1.14 V
1.26 V
- 40 C
+ 95 C
MT40A
Tray
Marca: Micron
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 1080
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 83 mA
Peso de la unidad: 3.461 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

DDR4 SDRAM

Micron DDR4 SDRAM has new features centered on power savings, performance enhancement, manufacturability, and reliability improvements. These features improve performance, power, manufacturability, reliability and stacking capabilities for the enterprise, cloud, ultrathin, tablet, automotive and embedded markets. DDR4 has data rates up to 3200MT/s, an operating voltage of 1.2V and additional power saving features. Increases performance up to 50% and deliver total energy savings up to 25% compared to DDR3.