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MT41K256M8DA-125:K

Name: Micron Technology MT41K256M8DA-125:K
Brand: Micron
SKU: 340-135733-TRAY
Price: 18.58 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

340-135733-TRAY

Fabricante N.º:

MT41K256M8DA-125:K

Fabricante:

Micron

Descripción:

DRAM DDR3 2Gbit 8 78/117FBGA 1 CT

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$18.58	$18.58

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micron Technology
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3
Tamaño de memoria:	2 Gbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	800 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-78
Organización:	256 M x 8
Tiempo de acceso:	13.75 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.283 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.45 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 95 C
Serie:	MT41K
Empaquetado:	Tray
Marca:	Micron
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1440
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	56 mA
Peso de la unidad:	16.354 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: Estados Unidos

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.