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AFT09MS015NT1

Mouser N.º:

841-AFT09MS015NT1

Fabricante N.º:

AFT09MS015NT1

Fabricante:

NXP Semiconductors

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
REACH - SVHC:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	5.9 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Frecuencia de trabajo:	136 MHz to 941 MHz
Ganancia:	17.2 dB
Potencia de salida:	16 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PLD-1.5W
Empaquetado:	Reel
Marca:	NXP Semiconductors
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	AFT09MS015N
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Alias de las piezas n.º:	935324771515
Peso de la unidad:	280 mg