AFV09P350-04NR3

NXP Semiconductors
841-AFV09P350-04NR3
AFV09P350-04NR3

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

Modelo ECAD:
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En existencias: 244

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
10 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$181.68 $181.68
$153.04 $1,530.40
$145.86 $3,646.50
$141.55 $7,077.50
$116.14 $11,614.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
$116.13 $29,032.50
500 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
NXP
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
N-Channel
Si
105 V
720 MHz to 960 MHz
19.2 dB
100 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-780-4
Reel
Cut Tape
Marca: NXP Semiconductors
Sensibles a la humedad: Yes
Número de canales: 2 Channel
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: AFV09P350
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: + 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
Alias de las piezas n.º: 935322054528
Peso de la unidad: 3.065 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99