MRF1K50N
No asignado
MRF1K50N
Fabricante:
Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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Códigos de cumplimiento
- USHTS:
- 8541290075
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
