QPD1881L

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Mouser N.º:

772-QPD1881L

Fabricante N.º:

QPD1881L

Fabricante:

Qorvo

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	NI780-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	145 V
Id - Corriente de drenaje continua:	13 A
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	237 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	QPD1881LEVB01
Ganancia:	21.2 dB
Voltaje máximo drenaje-puerta:	55 V
Frecuencia de trabajo máxima:	2.9 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	2.7 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	400 W
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1881L
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 7 V to 2 V