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QPD2025D

Name: Qorvo QPD2025D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2025D
Price: 9.34 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPD2025D

Fabricante N.º:

QPD2025D

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Tipo de transistor:	pHEMT
Empaquetado:	Reel
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tipo de producto:	RF JFET Transistors
Serie:	QPD2025D
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors

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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die is developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. The process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The QPD2025D operates from DC to 20GHz with 24dBm typical output power at P1dB with a gain of 14dB and 58% power-added efficiency at 1dB compression. With this performance level, the device is ideal for high-efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride delivers environmental robustness and scratch protection.