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MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

Name: RAMXEED MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1
Brand: RAMXEED
SKU: 249-85S4MLYPNGAWERE1
Price: 12.48 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

249-85S4MLYPNGAWERE1

Fabricante N.º:

MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1

Fabricante:

RAMXEED

Descripción:

F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)

Hoja de datos:

MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	RAMXEED
Categoría de producto:	F-RAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	50 MHz
Organización:	512 k x 8
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.95 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Marca:	RAMXEED
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo:	1.8 V
Tipo de producto:	FRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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Hoja de datos

MB85RS4MLYPN-G-AWEWE1 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

AEC-Q100 Compliant SPI FeRAM Family

RAMXEED AEC-Q100 Compliant SPI Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Family is a high‑reliability lineup of nonvolatile ferroelectric memories designed for demanding automotive and industrial environments. These devices operate across a wide temperature range of -40°C to +125°C, making the devices suitable for harsh conditions commonly found in vehicles and high‑temperature equipment. Built on FeRAM technology, these RAMXEED components combine the nonvolatility of traditional EEPROM or Flash with the speed and endurance of SRAM‑like memory cells, offering exceptionally high read/write endurance (up to 10¹⁴ cycles in many automotive‑grade SPI variants), and instant, delay‑free writes that support frequent data updates without performance degradation.

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.