MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1

RAMXEED
249-85S4MLYPNGSAWW1
MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1

Fabricante:

Descripción:
F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - DFN8 T&R (AECQ100 125C)

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1500   Múltiples: 1500
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$18.12 $27,180.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
RAMXEED
Categoría de producto: F-RAM
RoHS:  
4 Mbit
SPI
50 MHz
512 k x 8
DFN-8
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 125 C
AEC-Q100
Reel
Marca: RAMXEED
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo: 1.8 V
Tipo de producto: FRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Memory & Data Storage
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.b.1
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

AEC-Q100 Compliant SPI FeRAM Family

RAMXEED AEC-Q100 Compliant SPI Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Family is a high‑reliability lineup of nonvolatile ferroelectric memories designed for demanding automotive and industrial environments. These devices operate across a wide temperature range of -40°C to +125°C, making the devices suitable for harsh conditions commonly found in vehicles and high‑temperature equipment. Built on FeRAM technology, these RAMXEED components combine the nonvolatility of traditional EEPROM or Flash with the speed and endurance of SRAM‑like memory cells, offering exceptionally high read/write endurance (up to 1014 cycles in many automotive‑grade SPI variants), and instant, delay‑free writes that support frequent data updates without performance degradation.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

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