MS85R4M1TAFN-G-JAE2

Name: RAMXEED MS85R4M1TAFN-G-JAE2
Brand: RAMXEED
SKU: 249-MS85R4M1TAFNGJAE
Price: 17.57 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

249-MS85R4M1TAFNGJAE

Fabricante N.º:

MS85R4M1TAFN-G-JAE2

Fabricante:

RAMXEED

Descripción:

F-RAM

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

MS85R4M1TAFN-G-JAE2 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	RAMXEED
Categoría de producto:	F-RAM
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	512 K x 8
Paquete / Cubierta:	TSOP-44
Tiempo de acceso:	120 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.8 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	RAMXEED
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	FRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	126
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8542320000
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.