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2SB1260T100Q

Mouser N.º:

755-2SB1260T100Q

Fabricante N.º:

2SB1260T100Q

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Fabricante:

ROHM Semiconductor

Fabricante N.º:

2SAR554P5T100

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	PNP
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	1 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	80 V
Tensión VCBO colector-base:	80 V
Voltaje VEBO emisor-base:	5 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	400 mV
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Producto para ganar Ancho de banda fT:	100 MHz
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	2SB1260
Empaquetado:	Reel
Marca:	ROHM Semiconductor
Corriente continua del colector:	- 1 A
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	82
Máx. ganancia de CC hFE:	390
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	130.500 mg