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RGTH00TS65GC13

Name: ROHM Semiconductor RGTH00TS65GC13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGTH00TS65GC13
Price: 3.56 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RGTH00TS65GC13

Fabricante N.º:

RGTH00TS65GC13

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

IGBTs TO247 650V 50A TRNCH

Hoja de datos:

RGTH00TS65GC13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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5,400	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247GE-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.1 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	30 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	85 A
Dp - Disipación de potencia :	277 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Alias de las piezas n.º:	RGTH00TS65

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RGW 650V Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGW 650V Field Stop Trench IGBTs offer a low collector-emitter saturation voltage in a small package. The RGW IGBTs feature high-speed switching, low switching loss, and built-in very fast and soft recovery FRD. The ROHM RGW 650V Field Stop Trench IGBTs are ideal for solar inverter, UPS, welding, IH, and PFC applications.