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SCT3060AW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT3060AW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3060AW7TL
Price: 16.7 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SCT3060AW7TL

Fabricante N.º:

SCT3060AW7TL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	78 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	58 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	159 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4.9 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Alias de las piezas n.º:	SCT3060AW7
Peso de la unidad:	1.600 g