Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

SCT3060AW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT3060AW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3060AW7TL
Price: 16.7 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-SCT3060AW7TL

Fabricante N.º:

SCT3060AW7TL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L

Hoja de datos:

SCT3060AW7TL Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor SCT3060AW7TL

En existencias: 1,757

Existencias:: 1,757 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 1757 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$16.70	$16.70
	$12.41	$124.10
	$12.29	$1,229.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$12.29	$12,290.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	78 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	58 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	159 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	4.9 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Alias de las piezas n.º:	SCT3060AW7
Peso de la unidad:	1.600 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SCT3060AW7TL Hoja de datos

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure to reduce ON resistance by 50% and input capacitance by 35% over planar-type SiC MOSFETs. The MOSFETs include an additional pin that separates the driver and power source pins, eliminating the inductance component's effects in reducing Vgs, ensuring faster switching speeds. The ROHM Semiconductor Trench-Type MOSFETs feature a high voltage resistance, low ON resistance, fast switching speed, simple to drive, and easy to parallel.