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TP65H015G5WS

Name: Renesas Electronics TP65H015G5WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H015G5WS
Price: 22.07 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

227-TP65H015G5WS

Fabricante N.º:

TP65H015G5WS

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47

Hoja de datos:

TP65H015G5WS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$22.07	$22.07
	$21.48	$214.80
	$20.17	$2,017.00
	$12.82	$6,410.00
	$12.81	$11,529.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	95 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	18 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	68 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	276 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	900
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo de retardo de apagado típico:	132 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	78 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TP65H015G5WS SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H015G5WS SuperGaN^® FET is a 650V, 15mΩ gallium nitride GaN normally-off FET that implements a Gen V SuperGaN platform. The platform employs advanced epi and patented design technologies. These Renesas TP65H015G5WS features simplify manufacturability while enhancing efficiency over silicon through a lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.