TP65H030G4PWS

Renesas Electronics
227-TP65H030G4PWS
TP65H030G4PWS

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 1,305

Existencias:
1,305 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$10.21 $10.21
$6.45 $64.50
$5.47 $547.00
$4.76 $2,380.00
$4.75 $4,560.00
2,880 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Renesas Electronics
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55.7 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
24.5 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
SuperGaN
Marca: Renesas Electronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: JP
País de origen: CN
Tiempo de caída: 8 ns
Empaquetado: Tube
Producto: FETs
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 6.8 ns
Serie: Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica: 960
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: GaN FET
Tiempo de retardo de apagado típico: 89.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 40.8 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99