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TP65H035G4WSQA

Name: Renesas Electronics TP65H035G4WSQA
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H035G4WSQA
Price: 18.51 USD
Availability: LimitedAvailability

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Mouser N.º:

227-TP65H035G4WSQA

Fabricante N.º:

TP65H035G4WSQA

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs GAN FET 650V 46.5A TO247

Ciclo de vida:

Disponibilidad restringida:

Este número de pieza no se encuentra disponible actualmente en Mouser. El producto puede estar en distribución limitada o en un pedido especial de fábrica.

Hoja de datos:

TP65H035G4WSQA Hoja de datos

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	$15.38	$153.80
	$15.37	$1,844.40

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	47.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	41 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	187 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo de retardo de apagado típico:	94 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	60 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs

Renesas Electronics Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs are normally-off devices that offer superior reliability and performance. The devices combine state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies. The series offers improved efficiency over silicon through lower gate charge and crossover loss, and smaller reverse recovery charge. Renesas Electronics Automotive (AEC-Q101) Qualified GaN FETs are ideal for automotive, datacom, PV inverters, and industrial applications.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H035G4WSQA 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H035G4WSQA 650V SuperGaN® FET is a normally-off device using Renesas Electronics's Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET. The device offers superior reliability and performance, and with the SuperGaN® platform, it uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability. This improves efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.