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TP65H050G4PWS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4PWS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4PWS
Price: 3.92 USD
Availability: OutOfStock

Mouser N.º:

227-TP65H050G4PWS

Fabricante N.º:

TP65H050G4PWS

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

Ciclo de vida:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TO-247-3L
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Empaquetado:	Tube
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	960
Subcategoría:	Transistors

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