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TP65H050G4WS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4WS
Price: 10.68 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

227-TP65H050G4WS

Fabricante N.º:

TP65H050G4WS

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

Hoja de datos:

TP65H050G4WS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$10.68	$10.68
	$6.79	$67.90
	$5.77	$577.00
	$5.00	$4,500.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	34 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	24 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	119 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10.9 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	11.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	900
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo de retardo de apagado típico:	88.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	49.2 ns

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

650V 34A GaN FETs

Renesas Electronics 650V 34A GaN (Gallium Nitride) FETs are normally-off devices using Renesas Electronics's Gen IV platform. The FETs combine a high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. GaN FETs have inherently superior performance over traditional silicon FETs, offering faster switching and better thermal performance.