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TP65H070G4LSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4LSGBTR
Price: 7.82 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

227-TP65H070G4LSGBTR

Fabricante N.º:

TP65H070G4LSGB-TR

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Hoja de datos:

TP65H070G4LSGB-TR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$3.32	$9,960.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	29 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	85 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.6 V
Qg - Carga de puerta:	8.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	96 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.5 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo de retardo de apagado típico:	71 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	27 ns

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H070G4LSGB 650V SuperGaN® GaN FET

Renesas Electronics TP65H070G4LSGB 650V SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET is a 650V, 70mΩ normally-off device offering superior quality and performance. TP65H070G4LSGB combines state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies in an 8mm x 8mm PQFN package. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, this component features 96W maximum power dissipation, an 18.4A to 29A maximum continuous drain current range, and a 120A pulsed drain current (maximum). The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.