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TP65H070G4LSGBA-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4LSGBA-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-P65H070G4LSGBATR
Price: 3.11 USD
Availability: OutOfStock

Mouser N.º:

227-P65H070G4LSGBATR

Fabricante N.º:

TP65H070G4LSGBA-TR

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Empaquetado:	Reel
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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