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TP65H300G4LSG

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Mouser N.º:

227-TP65H0300G4LSG

Fabricante N.º:

TP65H300G4LSG

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs GAN FET 650V 6.5A PQFN88

Ciclo de vida:

Disponibilidad restringida:

Este número de pieza no se encuentra disponible actualmente en Mouser. El producto puede estar en distribución limitada o en un pedido especial de fábrica.

Hoja de datos:

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

TP65H300G4LSG-TR

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$4.92

Mín.:

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Fabricante:

Renesas Electronics

Fabricante N.º:

TP65H300G4LSG-TR

Descripción:

GaN FETs 650V, 240mOhm

Ciclo de vida:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-8x8-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	312 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Qg - Carga de puerta:	9.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	21 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Tiempo de caída:	10 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	3.4 ns
Serie:	TP65H
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo de retardo de apagado típico:	53 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19.4 ns
Peso de la unidad:	4.096 g

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Hoja de datos

TP65H300G4LSG Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.